Nghiên cứu các thông số quang khắc sử dụng chế tạo điện cực nMOS

Tóm tắt

MOSFET (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) là Transistor có cấu tạo và hoạt động khác với Transistor thông thường mà nó dựa trên nguyên tắc hoạt động của hiệu ứng từ trường để tạo ra dòng điện. MOSFET là linh kiện có trở kháng đầu vào lớn thích hợp cho khuyếch đại các nguồn tín hiệu bé. Với khả năng đóng cắt nhanh các dòng điện và điện áp lớn như các bộ dao động tạo từ trường các bộ nguồn xung và cách mạch điều khiển điện áp cao. Do đó, việc nghiên cứu, chế tạo và từng bước làm chủ công nghệ MOS là hết sức cần thiết cho các phòng thí nghiệm đến các nhà máy chế tạo. Trong đề tài này, nhóm nghiên cứu đã thiết kế, chế tạo tủ quang khắc mini (mini Photolithography cabinet) điều khiển qua máy tính với độ phân giải dưới 50µm và thử nghiệm chế tạo điện cực nMOS nhằm xác định các thông số quang khắc tối ưu qua 18 mẫu: thời gian chiếu xạ (tex) 45 giây, thời gian tráng rửa (tdev) 55giây, khoảng cách giữa nguồn phát xạ và mặt nạ (h) 10 cm, cường độ cho UVLED phát xạ (I) 50 mA và góc chiếu xạ (θ) 0o. Các mẫu thực hiện trong hệ quang khắc này được kiểm chứng qua việc chụp ảnh SEM (tại PTN bán dẫn, Trung tâm NCTK- SHTP) đạt độ nét cao khi kích thước bé nhất của chi tiết nMOS là 8µm. Nhóm nghiên cứu đã thành công trong chế tạo tủ quang khắc và tiến hành các thực nghiệm ban đầu hiệu quả về thông số quang khắc, ăn mòn cho các cấu trúc MEMS, cảm biến sau này.

Từ khóa: quang khắc, UVLED, nMOS, giao diện PC, khắc ăn mòn

Tải bài báo